64-0512-14 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.3 A、2.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン ZXMC10A816N8TC
[DiodesZetex] ZXMC10A816N8TC Dual N/P-Channel MOSFET, 2.3 A, 2.4 A, 100 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：2.3 A、2.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ, 320 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.4 W, 2.6 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：497 pF @ 50 V、717 pF @ -50 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：751-5335
