64-0468-69 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 6.9 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン FDD8N50NZTM
[ON Semiconductor] FDD8N50NZTM N-Channel MOSFET, 6.9 A, 500 V UniFET, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
特徴
- UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
- UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：6.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：500 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：850 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：90 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-2465
