64-0468-55 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 9 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン FCD9N60NTM
[ON Semiconductor] FCD9N60NTM N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V SupreMOS, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
特徴
- SupreMOSR MOSFET、Fairchild Semiconductor
- Fairchildは、新世代の600 VスーパージャンクションMOSFET - SupreMOSRを発売します。 同社の低RDS(on)と総ゲート電荷量を組み合わせることで、Fairchild製の600 V SuperFET MOSFETよりも性能指数(FOM)が40%低くなります。 さらに、SupreMOSファミリは同じRDS(on)に対して低いゲート電荷量を実現するので、優れたスイッチング性能を発揮し、スイッチング損失と導電損失は20 %低くなります。この結果、効率は高くなります。 これらの特性により、電源はデスクトップPC向けのENERGY STARR 80 PLUS Gold分類及びサーバー向けのPlatinum分類に適合します。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：390 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：92.6 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：17.8 nC @ 10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：739-6128
