64-0461-63 ［取扱停止］N Pチャンネル 小信号 MOSFET 220 mA 410 mA 表面実装 パッケージSOT-363 （SC-70）1袋（5個入） FDG6322C
[ON Semiconductor] FDG6322C Dual N/P-Channel MOSFET, 220 mA, 410 mA, 25 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70) ON Semiconductor
特徴
- 強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor
- 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：220 mA, 410 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：25 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.9 Ω、7 Ω
- 最低ゲートしきい値電圧：0.65V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：SOT-363 （SC-70）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：小信号
- 最大パワー消費：300 mW
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：739-0183
