64-0455-91 ［取扱停止］デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 9.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF9358PBF
[Infineon] IRF9358PBF Dual P-Channel MOSFET, 9.2 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルPチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションをご用意しており、設計者はデュアルPチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1チューブ（95個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：9.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：23.8 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.4V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-7395
