64-0455-90　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　100　A　表面実装　パッケージDPAK　（TO-252）　3　ピン　IRLR6225PBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：100　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：5.2　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-12　V,　+12　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：63　W
• 寸法：6.73　x　6.22　x　2.39mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：737-7293