64-0423-17　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　2.7　A　表面実装　パッケージSOT-23　3　ピン　IRLML2030TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（3000個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：2.7　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：100　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2.3V
• 最低ゲートしきい値電圧：1.3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOT-23
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：1.3　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-7763