特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET Qシリーズ
- NチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET)
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：27 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：800 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：320 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TO-264AA
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：500 W
- 長さ：19.96mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：711-5382
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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