特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET Polarシリーズ
- IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET)
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：26 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：1200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：460 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：6.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：TO-264
- 実装タイプ：スルーホール
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：960 W
- 標準ターンオン遅延時間：56 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：711-5360
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|