特徴
- NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：4.4 Ω
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 標準ターンオフ遅延時間：30 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：710-4651
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|