VISHAY

64-0341-04 デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン  SI9933CDY-T1-GE3

[Vishay] SI9933CDY-T1-GE3 Dual P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 8-Pin SOIC Vishay

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よくあるご質問

特徴

  • デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

仕様

  • 入数:1袋(5個入)
  • チャンネルタイプ:P
  • 最大連続ドレイン電流:4 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:58 mΩ
  • 最低ゲートしきい値電圧:0.6V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V
  • パッケージタイプ:SOIC
  • 実装タイプ:表面実装
  • トランジスタ構成:絶縁型
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:2000 mW
  • 標準ターンオフ遅延時間:29 ns
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:710-3395

アズワン品番 64-0341-04
型番 SI9933CDY-T1-GE3
標準価格 370円(税抜)
WEB価格
入り数 1袋(5個入)
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