特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：40 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.7 W
- 標準ターンオン遅延時間：12ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-2665
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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