VISHAY

64-0340-99 デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 4.3 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン  SI4900DY-T1-GE3

[Vishay] SI4900DY-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay

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よくあるご質問

特徴

  • デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

仕様

  • 入数:1リール(2500個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:4.3 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:58 mΩ
  • 最低ゲートしきい値電圧:1V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
  • パッケージタイプ:SOIC
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:8
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:2 W
  • 動作温度 Min:-55 °C
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:165-3003

アズワン品番 64-0340-99
型番 SI4900DY-T1-GE3
標準価格 177,000円(税抜)
WEB価格
入り数 1セット(2500個入)
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