特徴
- NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：9.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：14 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 標準ターンオフ遅延時間：13 ns, 14 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：710-3320
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|