特徴
- NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：12.7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：25 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：9 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.6V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2500 mW
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：710-3317
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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