特徴
- PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：530 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.2Ω
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-23 （TO-236）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：750 mW
- 長さ：3.04mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：710-3263
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|