特徴
- PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：2.8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：100 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.6V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOT-363 （SC-70）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.5 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-2686
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|