64-0251-22 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 150 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン IRL7833SPBF
[Infineon] IRL7833SPBF N-Channel MOSFET, 150 A, 30 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（2個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：150 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：4 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.3V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：140 W
- 標準ターンオン遅延時間：18 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：688-7197
