64-0245-79 Nチャンネル パワーMOSFET 120 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1袋（2個入） STB120NF10T4
[STMicroelectronics] STB120NF10T4 N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V STripFET II, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1袋（2個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：120 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：10.5 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：312 W
- 標準ターンオフ遅延時間：132 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：687-5065
