64-0190-41　［取扱停止］MOSFET　FQPF630

特徴

• QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor
• Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

仕様

• 入数：1チューブ（50個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：6.3　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：200　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：400　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-25　V,　+25　V
• パッケージタイプ：TO-220F
• 実装タイプ：スルーホール
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：38　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：145-4536