64-0188-49 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 15.6 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン FQD19N10TM
[ON Semiconductor] FQD19N10TM N-Channel MOSFET, 15.6 A, 100 V QFET, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
特徴
- QFETR NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor
- Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：15.6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：100 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2500 mW
- 寸法：6.6 x 6.1 x 2.3mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：671-0974
