64-0187-70 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 6.9 A、8.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋（5個入） FDS6900AS
[ON Semiconductor] FDS6900AS Dual N-Channel MOSFET, 6.9 A, 8.2 A, 30 V PowerTrench, SyncFET, 8-Pin SOIC ON Semiconductor
特徴
- PowerTrenchR SyncFETデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor
- 電力変換の損失を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されています 超低RDS(on)向けの高性能トレンチ技術 SyncFETは、効率的なショットキーボディダイオードによる利点を装備
- 用途：同期整流DC-DCコンバータ、モータドライブ、ネットワーキングPoint of Load、ローサイドスイッチ
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：6.9 A、8.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：22 mΩ, 27 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2000 mW
- 標準ターンオフ遅延時間：23 ns、26 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：671-0643
