64-0187-46 Nチャンネル パワーMOSFET 7.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋（5個入） FDS3672
[ON Semiconductor] FDS3672 N-Channel MOSFET, 7.5 A, 100 V UltraFET, 8-Pin SOIC ON Semiconductor
特徴
- UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor
- UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。
- 用途：高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：7.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：23 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2500 mW
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：671-0491
