64-0187-41　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　4.9　A　表面実装　パッケージSOIC　8　ピン　FDS2572

特徴

• UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor
• UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。
• 用途：高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

仕様

• 入数：1リール（2500個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：4.9　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：150　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：47　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5　W
• 標準ターンオフ遅延時間：44　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：166-2596