64-0187-33　Nチャンネル パワーMOSFET 1.9 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン 1セット（3000個入）　FDN357N

特徴

• 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
• 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

仕様

• 入数：1リール（3000個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：1.9　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：600　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOT-23
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：500　mW
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：166-1718