64-0186-79 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 1.8 A 表面実装 パッケージMLP 6 ピン FDFME3N311ZT
[ON Semiconductor]
特徴
- NチャンネルPowerTrenchR MOSFET、ショットキーダイオード付き、Fairchild Semiconductor
- 携帯ハンドセットやその他の超ポータブル用途におけるバッテリ充電スイッチ用に設計 個別に接続された順方向電圧ショットキーダイオードにより、導電損失を最小化
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：1.8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：603 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：MLP
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.4 W
- 標準ターンオフ遅延時間：22 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：759-9493
