64-0186-64　［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 2.6 A、3.8 A 表面実装 パッケージMicroFET薄型 6 ピン 1セット（5000個入）　FDME1034CZT

特徴

• PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
• PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

仕様

• 入数：1リール（5000個入）
• チャンネルタイプ：N,　P
• 最大連続ドレイン電流：2.6　A、3.8　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：160　mΩ,　530　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-8　V,　+8　V
• パッケージタイプ：MicroFET薄型
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：絶縁型
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：1.4　W
• 標準ターンオフ遅延時間：15　ns、33　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：166-2557