64-0186-55　Nチャンネル　パワーMOSFET　20　A　表面実装　パッケージD2PAK　（TO-263）　3　ピン　FCB20N60TM

特徴

• SuperFETR / SuperFETR II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor
• Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFETR II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します。 高度な電荷量バランス技術を採用しているので、基板上で占有するスペースが小さく、信頼性が向上するため、より効率的で、コスト効果が高く、高性能なソリューションを達成できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：20　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：600　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：190　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-30　V,　+30　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：208　W
• 動作温度　Max：+150　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：671-0330