64-0186-53　Pチャンネル 小信号 MOSFET 130 mA 表面実装 パッケージSOT-23 （TO-236AB） 3 ピン 1セット（3000個入）　BSS84

特徴

• 強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
• 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

仕様

• 入数：1リール（3000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：130　mA
• 最大ドレイン-ソース間電圧：50　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：10　Ω
• 最大ゲートしきい値電圧：2V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.8V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOT-23　（TO-236AB）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：小信号
• 最大パワー消費：250　mW
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：166-2408