64-0147-99 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 190 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン IRF1404ZSPBF
[Infineon] IRF1404ZSPBF N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：190 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：4 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：220 W
- 寸法：10.67 x 9.65 x 4.83mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：651-8759
