特徴
- PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数:1袋(5個入)
- チャンネルタイプ:P
- 最大連続ドレイン電流:6.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:800 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧:2V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:3
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:3 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs:29 nC @ 10 V
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:650-4249
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
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