64-0114-99 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 780 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン 1袋（5個入） IRLML6302TRPBF
[Infineon] IRLML6302TRPBF P-Channel MOSFET, 780 mA, 20 V HEXFET, 3-Pin SOT-23 Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：780 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：600 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.7V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：540 mW
- 標準ターンオン遅延時間：13 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：610-6851
