64-0105-79 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 6.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7473PBF
[Infineon] IRF7473PBF N-Channel MOSFET, 6.9 A, 100 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：6.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 標準ターンオフ遅延時間：29 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：543-2389
