64-0105-78 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 65 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン IRLR7821PBF
[Infineon] IRLR7821PBF N-Channel MOSFET, 65 A, 30 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（75個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：65 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：10 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：75 W
- 標準ターンオフ遅延時間：10 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-0958
