64-0105-65 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 9.4 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン IRFR9N20DPBF
[Infineon] IRFR9N20DPBF N-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：9.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：380 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：86 W
- 寸法：6.73 x 6.22 x 2.39mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：543-1184
