64-0105-49 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 55 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン IRL2910SPBF
[Infineon] IRL2910SPBF N-Channel MOSFET, 55 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：55 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3.8 W
- 寸法：10.67 x 9.65 x 4.83mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：543-0377
