特徴
- NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1チューブ（50個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：9.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：750 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：170 W
- 寸法：10.67 x 9.65 x 4.83mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：178-0850
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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