64-0105-08 ［取扱停止］デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 3.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7306PBF
[Infineon] IRF7306PBF Dual P-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：3.6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：100 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：542-9355
