特徴
- NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1チューブ（50個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：14 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：250 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：280 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3.1 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：68 nC @ 10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：178-0830
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|