64-0105-03 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 82 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン IRF2807SPBF
[Infineon] IRF2807SPBF N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：82 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：75 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：13 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：230 W
- 標準ターンオフ遅延時間：49 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：542-9197
