64-0104-29 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 85 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン IRF1010NSPBF
[Infineon] IRF1010NSPBF N-Channel MOSFET, 85 A, 55 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 55 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：85 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：11 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：180 W
- 動作温度 Max：+175 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：541-2874
