64-0103-95 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 18 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン IRFR5505PBF
[Infineon] IRFR5505PBF P-Channel MOSFET, 18 A, 55 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（75個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：18 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：110 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：57 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：541-0474
