64-0103-89　［取扱停止］デュアル　Nチャンネル　パワーMOSFET　4.9　A　表面実装　パッケージSOIC　8　ピン　IRF7303PBF

特徴

• デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
• InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。

仕様

• 入数：1チューブ（95個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：4.9　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：50　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：絶縁型
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：178-1521