64-0103-86 ［取扱停止］デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 2.3 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7104PBF
[Infineon] IRF7104PBF Dual P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：2.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：250 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2000 mW
- 標準ターンオフ遅延時間：42 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：540-9626
