64-0102-30　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　31　A　表面実装　パッケージD2PAK　（TO-263）　3　ピン　IRFS31N20DPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：31　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：200　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：82　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：5.5V
• 最低ゲートしきい値電圧：3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-30　V,　+30　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：3.1　W
• 寸法：10.67　x　9.65　x　4.83mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：539-4990