64-0077-40 N+Pチャンネル パワーMOSFET 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-363 （SC-88） 6 ピン 1セット（20個入） NTJD1155LT1G
[ON Semiconductor] NTJD1155LT1G Dual N/P-Channel MOSFET, 1.3 A, 8 V, 6-Pin SOT-363 ON Semiconductor
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、ON Semiconductor
仕様
- 入数：1テープ（20個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：1.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：8 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：320 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：+8 V
- パッケージタイプ：SOT-363 （SC-88）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：400 mW
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：780-0605
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|