64-0042-22 [取扱停止]Nチャンネル パワーMOSFET 11 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピン FQU13N06LTU
[ON Semiconductor] FQU13N06LTU N-Channel MOSFET, 11 A, 60 V QFET, 3-Pin IPAK ON Semiconductor
特徴
- QFETR NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor
- Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
仕様
- 入数:1チューブ(70個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:11 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:115 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧:1V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:IPAK (TO-251)
- 実装タイプ:スルーホール
- ピン数:3
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:2.5 W
- 動作温度 Min:-55 °C
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:166-1855