63-9955-82 N+Pチャンネル パワーMOSFET 460 mA 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン FDC6321C
[ON Semiconductor] FDC6321C Dual N/P-Channel MOSFET, 460 mA, 680 mA, 25 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor特徴
- デジタルFET、Fairchild Semiconductor
仕様
- 入数:1個
- チャンネルタイプ:N, P
- 最大連続ドレイン電流:460 mA, 680 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧:25 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:1.1 Ω, 450 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧:0.65V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V
- パッケージタイプ:SOT-23
- 実装タイプ:表面実装
- トランジスタ構成:絶縁型
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:900 mW
- 標準ターンオフ遅延時間:17 ns、55 ns
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:354-4985
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|





