63-9812-89 Nチャンネル MOSFET 14 A 表面実装 パッケージD2PAK 2+Tab ピン 1袋（10個入） FCB199N65S3
[ON Semiconductor] FCB199N65S3 N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK ON Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：14 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：199 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±30 V
- パッケージタイプ：D2PAK
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：SuperFET III MOSFET
- 最大パワー消費：98 W
- 寸法：10.67 x 9.65 x 4.83mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：172-4630
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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