63-9811-74 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 111 A 表面実装 パッケージDFN 8 ピン NVMFD5C650NLT1G
[ON Semiconductor] NVMFD5C650NLT1G Dual N-Channel MOSFET, 111 A, 60 V NVMFD5C650NL, 8-Pin DFN ON Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（1500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：111 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：5.8 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：DFN
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：125 W
- 自動車規格：AEC-Q101
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：172-3297
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|